使用半导体分立器件测试仪的方法

发布时间： 2017-07-20　　点击次数： 911次

半导体分立器件测试仪
一、产品特点：
测试品种覆盖面广、测试精度高、电参数测试全、速度快、有良好的重复性和一致性、工作稳定可靠，具有保护系统和被测器件的能力。测试仪由计算机操控，测试数据可存储打印。除具有点测试功能外，还具有曲线扫描功能（图示仪功能）。系统软件功能全、使用灵活方便、操作简单。系统软件稳定可靠、硬件故障率低，在实际测试应用中各项技术指标均可达到器件手册技术指标及国标要求。
二、测试参数
1．二管
VF、IR、BVR
2．稳压（齐纳）二管
VF、IR、BV Z
3．晶体管 Transistor（NPN型/PNP型）
VBE、ICBO、 LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT 、VBEON
4．可控硅整流器（晶闸管）
IGT、VGT、 IH、IL 、VTM
5．场效应管
IGESF、IGSSF、 IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、 BVDGO、BVGSS

6．光电耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
*7．三端稳压器
VO、SV、ID、IDV

三、测试参数范围

晶体管

测试参数	测试范围
I_CEO I_CBO I_EBO	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
V_CE(sat) V_BE(sat)	0.10V-30V
V_BE(V_BE(on))	0.10V-30V
h_FE	1－99999
V_(BR)EBO	0.10V-30V
V_(BR)CEO V_(BR)CBO	0. 10V-50V 50V-1499V

二管

测试参数	测试范围
I_R	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
V_F	0.10V-30V
V_(BR)	1V-50V
	50V-1499V

稳压二管

测试参数	测试范围
I_R	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
V_F	0.10V-30V
V_Z	0.10V-50V

三端稳压器

测试参数	测试范围
V_O	0.10V-30V
S_V	0.10mV-1V
I_D	1uA-10mA
I_DV	1uA-10mA

MOSFET

测试参数	测试范围
V_GS(th)	0.10V-30V
g_fs	0.1mS-1000S
R_DS(on)	10mΩ-100KΩ
V_DS(on)	0.10V-50V
I_GSS	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
I_DSS	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
I_D(on)	0-50A
V_(BR)GSS	0.1V-30V
V_(BR)DSS	0.1V-1499V

光耦

测试参数	测试范围
V_F	0.10V-30V
I_R	1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
V_CE(sat)	0.10V-50V
CTR	0.1%-1000%
I_CEO	与I_R参数相同
V_(BR)ECOV_(BR)CEO	0.10V-50V 50V-1499V

可控硅

测试参数	测试范围
I_GT	10uA-200mA
V_GT	0.10V-30V
I_H	10uA-1A
I_L	10uA-1A
V_TM	0.10V-50V

四、技术指标

1、源的指标

主压流源 (VA)

电压：

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